[发明专利]蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201910739342.8 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110828336B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 黄成植;李在钒;吴浚禄;闵庚烈;金京仁;姜仲根 | 申请（专利权）人： | SKC索密思株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 金相允;魏彦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，主体顶面和主体底面隔开规定间隔，主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面，主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置，安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接，安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 环形 部件 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
