[发明专利]一种薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201910739513.7 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110534577A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宇怀 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/34;H01L21/77 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐剑兵;郭鹏飞<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及制作方法，其中晶体管包括基板、基板上设置的底栅极，所述底栅极的上方还设置有有源层，所述有源层包括与底栅极的一侧面平行设置的部分，所述有源层的与底栅极侧面相对的部分的另一侧还与设置有顶栅极。区别于现有技术，相较于平面式薄膜晶体管，可以缩短薄膜晶体管沟道制程临界尺寸(Critical Dimension，CD)，从而达到缩小整体器件占用面积，提高面板PPI；并且双栅极结构的垂直结构薄膜晶体管，具有更高的电子迁移率以及器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 源层 基板 薄膜晶体管沟道 电子迁移率 器件稳定性 双栅极结构 垂直结构 平行设置 栅极侧面 整体器件 平面式 晶体管 制程 占用 侧面 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、基板上设置的底栅极，所述底栅极的上方还设置有有源层，所述有源层包括与底栅极的一侧面平行设置的部分，所述有源层的与底栅极侧面相对的部分的另一侧还与设置有顶栅极。/n
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