[发明专利]拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构

摘要

本发明公开了一种拓宽超辐射发光二极管光谱宽度的不同宽度多量子阱结构，包括层叠设置的：P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极，有源层包括若干层厚度相异的量子阱层，各层量子阱层之间设置势垒层。有源层为AlGaInAs材料有源层，包括四层量子阱层，厚度分别为7nm、7.5nm、8nm、8.5nm，量子阱层采用In0.76Ga0.12Al0.12As材料，量子阱层之间的势垒层厚度为20nm，势垒层采用Al0.31Ga0.18In0.51As材料。P面电极上表面设置脊型条，脊型条作为P侧电注入区，P面电极上表面、脊型条一侧设置光学吸收区，脊型条倾斜设置。脊型条前后腔面上蒸镀宽光谱增透膜。