[发明专利]一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器在审
申请号: | 201910739592.1 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110429144A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 张程;吴绍龙;刘鉴辉;刘慧敏;俞童 | 申请(专利权)人: | 苏州大学;苏州斯特科光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/108 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;布拉格反射器和金属薄膜依次设于二氧化硅基底上;布拉格反射器由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层由上至下交替设置而成,布拉格反射器与金属薄膜的接触面为高折射率薄膜层且设置为二氧化钛;金属薄膜的顶部设有顶部导电电极,位于顶层的高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。提高了光子吸收率、热电子的输运效率和光电探测器的响应度;并能够通过与金属薄膜相邻的二氧化钛的厚度调节可改变探测器的响应波长和实现多窄带的光电探测;且本发明结构简单,便于生产。 | ||
搜索关键词: | 金属薄膜 布拉格反射器 高折射率薄膜层 近红外光电探测器 二氧化硅基 导电电极 二氧化钛 等离子 吸收率 低折射率薄膜层 光电探测器 光电探测 厚度调节 交替设置 可改变 热电子 响应度 波长 顶层 光子 探测器 输运 栅状 窄带 响应 生产 | ||
【主权项】:
1.一种基于塔姆等离子的平面近红外光电探测器,其特征在于,包含二氧化硅基底、布拉格反射器和金属薄膜;所述布拉格反射器和所述金属薄膜依次设于所述二氧化硅基底上;所述布拉格反射器包含多对高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,所述高折射率薄膜层和所述低折射率薄膜层由上至下交替设置,所述布拉格反射器顶层为高折射率薄膜层,且该层的材料为二氧化钛;所述金属薄膜的顶部一侧设有顶部导电电极,位于所述布拉格反射器顶层的所述高折射率薄膜层的底部设有栅状底部导电电极。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
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