[发明专利]表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法

摘要

一种表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，将表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片放入氢氟酸与超纯水配制的清洗液中，向清洗液中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗后，用超纯水冲洗；继续在室温下对单晶硅垫片使用兆声波清洗机在HCl、H2O2和去离子水配制的清洗液中清洗后，用超纯水冲洗；再将单晶硅垫片放入氢氟酸与超纯水配制的清洗液中，向清洗液中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗后，用超纯水冲洗；最后使用氮气风刀吹干单晶硅垫片。该清洗方法清洗效率高、工艺控制性能好，可以清除单晶硅垫片表面的氮化铝，刻蚀选择比高，减少了单晶硅垫片在清洗过程中损失，延长了单晶硅垫片的使用寿命。

主权项

1.一种表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，其特征是：/n具体步骤是：/n1)将表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片放入清洗液Ⅰ中，向清洗液Ⅰ中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗，所述清洗液Ⅰ是体积比为1:2～1:4氢氟酸与超纯水混合得到的氢氟酸溶液，清洗时间为30min～60min；/n2)用超纯水冲洗步骤1)经腐蚀清洗的单晶硅垫片至pH值为7；/n3)在室温下对步骤2)经超纯水冲洗的单晶硅垫片使用兆声波清洗机在清洗液Ⅱ中清洗，兆声波频率为700kHz-1000KHz，清洗时间为10min，所述清洗液Ⅱ为HCl、H₂O₂和去离子水的混合溶液，其中HCl与去离子水的体积比为1:6～1:8，所述H₂O₂与去离子水的体积比为1:4～1:6；/n4)用超纯水冲洗步骤3)经兆声波辅助清洗的单晶硅垫片至pH值为7；/n5)再将步骤4)经超纯水冲洗的单晶硅垫片放入清洗液Ⅲ中，向清洗液Ⅲ中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗，所述清洗液Ⅲ是体积比为1:2～1:4氢氟酸与超纯水混合得到的氢氟酸溶液，清洗时间为30min～60min；/n6)用超纯水冲洗步骤5)经腐蚀清洗的单晶硅垫片至pH值为7；/n7)使用氮气风刀吹干单晶硅垫片。/n