[发明专利]一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器在审
| 申请号： | 201910740120.8 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110568053A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 姚博文;李宇波;张睿;穆卫锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/60 | 分类号： | G01N27/60;G01N33/487 |
| 代理公司： | 33200 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器。包括传感器芯片、传感器阵列、片上裸露源极和片上裸露漏极；传感器芯片表面中心设有传感区域，传感区域中间布置有传感器阵列，传感器阵列是由多个场效应管传感结构紧密阵列均布而成，传感器芯片表面边缘布置有一个片上裸露源极和多个片上裸露漏极，各个场效应管传感结构的源极均连接到同一片上裸露源极，每个场效应管传感结构的漏极连接到不同的片上裸露漏极。本发明能够不损伤地维持测量期间较长时间内细胞正常的生理活动，能够调节初始沟道，能够测量可正可负的细胞膜电位变化，可有效防止培养液中离子对场效应管的腐蚀，提高了稳定性和耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 裸露 传感结构 漏极 源极 传感器阵列 传感器芯片表面 细胞膜电位 传感区域 培养液 传感器芯片 边缘布置 测量期间 非接触式 紧密阵列 生理活动 传感器 沟道 均布 离子 损伤 测量 腐蚀 细胞 | ||
【主权项】：
1.一种基于场效应管传感结构的非接触式细胞膜电位传感器，其特征在于：/n包括传感器芯片(16)、传感器阵列(18)、片上裸露源极(19)和片上裸露漏极(20)；传感器芯片(16)表面中心设有传感区域(17)，传感区域(17)中间布置有传感器阵列(18)，传感器阵列(18)是由多个场效应管传感结构紧密阵列均布而成，传感器芯片(16)表面边缘布置有一个片上裸露源极(19)和多个片上裸露漏极(20)，各个场效应管传感结构的源极(3)均连接到同一片上裸露源极(19)，每个场效应管传感结构的漏极(2)连接到不同的片上裸露漏极(20)。/n
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