[发明专利]一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法有效
申请号: | 201910740431.4 | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110571286B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 刘润;张玺 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;C25D9/04 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 郑海峰 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明公开了一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法。其特点在于将上转化稀土氟化物材料NaYF |
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搜索关键词: | 一种 转化 稀土 氟化物 氧化铜 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种上转化稀土氟化物与氧化铜复合电极的制备方法,其特征在于它的步骤如下:/n1)预处理ITO导电坡璃:ITO导电坡璃用无水乙醇超声波清洗15-20分钟,将导电玻璃置于硝酸溶液中活化,最后用去离子水清洗,待用;/n2)配制NaYF
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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