[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 201910740864.X | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN110571242B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 方亮;丁玎 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/02;G02F1/1368;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及显示面板,其阵列基板包括层叠设置的衬底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层和钝化层;采用单栅极层设计,在栅极层内形成存储电容的第一电极板,在源漏极层内形成存储电容的第二电极板和各种功能连接线,通过各功能连接线实现不同膜层间的电流通路,从而省去了一层栅极结构,节省了一道光罩,降低了生产成本,缓解了现有显示装置存在生产成本高的问题。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底;/n缓冲层,形成于所述衬底上;/n有源层,形成于所述缓冲层上,图案化形成薄膜晶体管的有源区,所述有源区包括掺杂区和沟道区;/n栅极绝缘层,形成于所述有源层及所述缓冲层上;/n栅极层,形成于所述栅极绝缘层上,图案化形成储存电容的第一电极板、栅极、扫描线;/n层间绝缘层,形成于所述栅极层及所述栅极绝缘层上;/n源漏极层,形成于所述层间绝缘层上,图案化形成所述储存电容的第二电极板、源极、漏极;/n钝化层,形成于所述源漏极层以及所述层间绝缘层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的