[发明专利]半导体器件

摘要

本公开涉及半导体器件，其包括“n”对pn结结构，其中n是≥2的整数，其中第i对包括第i类型的两个pn结结构，其中i＝{1,…,n}，其中第i类型的两个pn结结构是反串联连接的，其中第i类型的pn结结构被布置为具有第i结缓变系数mi。n对pn结结构中的至少第一对被布置为具有第一结缓变系数m1，其中并且m1<0.50，以及n对pn结结构中的第二对被布置为具有第二结缓变系数m2，其中n对pn结结构中的第一对和第二对的结缓变系数m1、m2被调整以导致具有信号功率水平的半导体器件的杂散三次谐波信号的产生，该信号功率水平比针对参考情况下获得的杂散三次谐波信号的参考信号功率水平低至少10db，在该参考情况下第一结缓变系数和第二结缓变系数m1，m2为0.25。