[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910743007.5 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110491945B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张武志;曹亚民;周维 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件沿半导体器件的厚度方向，依次包括底层、隔离层以及图形层；图形层包括顶层结构、第一N型区域、第一栅极、第二栅极、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域；沿半导体器件的宽度方向，第一栅极和第二栅极相对设置，第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域位于第一栅极和第二栅极之间；第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域沿半导体器件的长度方向依次设置。本申请通通过并列设置第一栅极和第二栅极，降低了半导体器件的阈值电压；同时，通过设置隔离层增加了半导体器件的防漏电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n沿所述半导体器件的厚度方向，依次包括底层、隔离层以及图形层；/n所述图形层包括顶层结构、第一N型区域、第一栅极、第二栅极、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域；/n沿所述半导体器件的宽度方向，所述第一栅极和所述第二栅极相对设置，所述第一N型区域、所述P型阱、所述N型漂移区域以及所述第二N型区域位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；/n所述第一N型区域、所述P型阱、所述N型漂移区域以及所述第二N型区域沿所述半导体器件的长度方向依次设置。/n
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