[发明专利]一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路在审
| 申请号： | 201910743314.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111403470A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 单毅;董业民;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于SOI工艺的晶闸管器件及静电保护电路，涉及集成电路技术领域。本发明通过在阱区上形成自对准栅极，分别将第一P型导电区与第一N型导电区、第一N型导电区与第二N型导电区进行隔离，使得晶闸管器件内部形成寄生PNP管和寄生NPN管，当NPN管导通时，PNP管也随之导通，进而触发晶闸管，泄放ESD电流，对其他被保护电路起到保护作用。本发明的晶闸管器件的触发电压由第一N型导电区与P阱区形成的反向PN结的反向击穿电压决定，本发明的晶闸管器件的触发电压低于现有技术中的晶闸管的触发电压，因此本发明的基于SOI工艺的晶闸管器件能够提供更加有效的ESD保护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 工艺 晶闸管 器件 静电 保护 电路 | ||
【主权项】：
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