[发明专利]一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910743625.X | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110484963B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 廉刚;黄丽萍;吕松;王涛;朱菲;王琪珑;崔得良 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B1/12 | 分类号： | C30B1/12;C30B29/12 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法。首先用常规的溶液旋涂方法制备无机钙钛矿半导体多晶薄膜，然后用表面抛光的盖片与多晶薄膜表面紧密贴合，并用柔性耐高温薄膜包覆。接着，将样品放入充满液态传压传热介质的高压热压釜内，封釜后在热压釜上施加高压，并以设定的速度升温到设定值。恒温恒压处理一段时间后，使热压釜缓慢冷却到室温。卸去压力后，打开热压釜即可得到晶粒粒度大、结晶度高、晶界高度融合的高质量无机钙钛矿半导体单晶薄膜。本发明制备的无机钙钛矿单晶薄膜可用于研制高性能太阳能电池、电致发光器件、光电探测器等，在新能源技术、显示设备制造以及自动控制等领域有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力 驱动 离子 扩散 生长 制备 无机 钙钛矿单晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法，包括如下步骤：/n将无机钙钛矿半导体多晶薄膜不经吸附溶剂蒸汽过程，直接进行空间限位，然后在液态传压传热介质中进行高等静压热处理，即得到无机钙钛矿单晶薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910743625.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
