[发明专利]一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器有效
| 申请号： | 201910744036.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110440947B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 上海盟希传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人： | 刘艳玲 |
| 地址： | 201600 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器,包括基底层,基底层的上方设置有半导体层，半导体层的左部分上方设置有外尔半金属层，外尔半金属层的上方设置有第一电极层；半导体层的右部分上方设置有掩膜层；第一电极层与外尔半金属层为欧姆接触，所述外尔半金属层与半导体层为欧姆接触；该基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器，在外尔半金属与半导体复合结构之间形成范德瓦耳斯结，当环境温度温度改变，会对范德瓦耳斯结造成影响，使得的范德瓦耳斯结产生的光生电流的强度变化，通过检测光生电流的变化，实现温度的检测；相比于现有的温度检测器不仅结构简单，而且灵敏度更高，具有更高的测量精度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 外尔半 金属 半导体 复合 结构 温度传感器 | ||
【主权项】：
1.一种基于外尔半金属和半导体复合结构的温度传感器, 其特征在于:包括基底层（1）,所述基底层（1）的上方设置有半导体层（4），所述半导体层（4）的左部分上方设置有外尔半金属层（3），所述外尔半金属层（3）的上方设置有第一电极层（2）；所述半导体层（4）的右部分上方设置有掩膜层（5）；所述第一电极层（2）与外尔半金属层（3）为欧姆接触，所述外尔半金属层（3）与半导体层（4）为欧姆接触。
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