[发明专利]一种柔性复合基板薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910744368.1 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110581059A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 孙玉俊 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 柯玉珊 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及柔性面板技术领域，特别涉及一种柔性复合基板薄膜的制备方法，由于纳米材料自身耐高温和耐磨损的特点以及其二维片层结构特点，通过采用纳米材料掺杂，能够大幅度提高聚合物电介质的耐电老化性能和耐热稳定性；利用掺杂材料的片层结构特点增加了水氧在柔性复合基板薄膜中渗透路径的曲折性，从而提高柔性基板的水氧阻隔性；并且片层结构的纳米材料的掺杂相比较其他颗粒状和管状无机材料提高了柔性复合基板薄膜表面的平整度和光滑性，使得基板具有良好的抗磨损和划伤的性能，更将有利于电路走线的平坦化，减小断线短路等情况。 | ||
| 搜索关键词： | 复合基板 纳米材料 片层结构 薄膜 掺杂 聚合物电介质 耐热稳定性 水氧阻隔性 薄膜表面 掺杂材料 电路走线 老化性能 柔性基板 柔性面板 无机材料 光滑性 抗磨损 颗粒状 耐高温 耐磨损 平坦化 平整度 短路 断线 划伤 基板 减小 水氧 制备 曲折 | ||
【主权项】：
1.一种柔性复合基板薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一：将片层的纳米材料加入有机溶剂中均匀混合，得到第一混合溶液；/n步骤二：将步骤一得到的第一混合溶液加入聚合物溶液中均匀混合，得到第二混合溶液；/n步骤三：提供一承载基板，将步骤二得到的第二混合溶液涂覆在所述承载基板上，得到柔性复合基板薄膜半成品；/n步骤四：将步骤三得到的柔性复合薄膜半成品进行加热烘烤处理，得到柔性复合基板薄膜成品。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司，未经福建华佳彩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910744368.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅薄膜制作方法
- 下一篇：基板运输装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
