[发明专利]一种氧化物晶体管显示结构在审
| 申请号： | 201910744601.6 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110544724A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李元行 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 35219 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氧化物晶体管显示结构，在氧化物半导体层SE图案设置有TFT所需的源漏极和沟道区域，其中漏极区域延伸有作为像素电极PE的透明氧化物图案，所述透明氧化物半导体为改性导体化结构，还包括顶公共电极。区别于现有技术，本发明在SE图案设置有TFT所需的源漏极+沟道区域，其中漏极区域有延伸作为像素电极PE图案，对透明氧化物半导体做掺杂or treatment进行改性，实现透明氧化物导体化作为像素电极图案。搭配顶公共电极设计，array基板制程可以减少1‑2道光罩。 | ||
| 搜索关键词： | 透明氧化物半导体 公共电极 沟道区域 漏极区域 图案设置 像素电极 源漏极 改性 透明氧化物图案 氧化物半导体层 像素电极图案 氧化物晶体管 透明氧化物 导体 显示结构 导体化 延伸 制程 搭配 掺杂 图案 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物晶体管显示结构，其特征在于，在氧化物半导体层SE图案设置有TFT所需的源漏极和沟道区域，其中漏极区域延伸有作为像素电极PE的透明氧化物图案，所述透明氧化物半导体为改性导体化结构，还包括顶公共电极。/n
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