[发明专利]一种高选择比的多晶硅蚀刻液及其制备方法

摘要

本发明涉及一种高选择比的多晶硅蚀刻液及其制备方法。该多晶硅蚀刻液由硝酸、硝酰类离子盐、有机碱氢氟酸盐、醋酸和去离子水组成。通过控制各组分的添加量和顺序，以质量配比先加入去离子水，硝酸和醋酸，搅拌均匀后再加入有机碱氢氟酸盐，最后加入硝酰类离子盐。在该蚀刻液中，硝酸为主氧化剂，硝酰类离子盐为助氧化剂，在酸性环境中分解产生硝酰离子，硝酰离子具有强氧化性，提高了其对多晶硅的氧化速率，有机碱氢氟酸盐缓慢释放氢氟酸，溶解氧化硅，由于有机碱基团的空间位阻，增大了氢氟酸的传质阻，降低了其对二氧化硅的腐蚀速率。本发明中的多晶硅蚀刻液能极大的满足工艺制程中高选择比的要求，同时也能保证该蚀刻液蚀刻速率的稳定性。

主权项

1.一种高选择比的多晶硅蚀刻液，其特征在于：所述的高选择比多晶硅蚀刻液由硝酸、硝酰类离子盐、有机碱氢氟酸盐、醋酸和水组成；所述的硝酸为电子级硝酸，浓度为70‑75%；所述的醋酸为电子级醋酸，浓度大于99.95%；所述的硝酰类离子盐为优级纯，含量≥99%；所述的有机碱氢氟酸盐为优级纯，含量≥97%；所述的水为25℃条件下，电阻率为18MΩ*cm的超纯水。