[发明专利]一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构有效
| 申请号： | 201910745236.0 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112399108B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;李凤;史兴萍;王瑞硕;夏梦真 | 申请（专利权）人： | 天津大学青岛海洋技术研究院 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H04N25/709 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266200 山东省青岛市鳌*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种消除8T CMOS图像传感器信号衰减的供电结构，包含6个行驱动模块、6个VDD端口以及6个VSS端口；行控制信号PC、RST和TG的行驱动模块位于像素阵列的左侧，行控制信号S1、S2和SEL的行驱动模块位于像素阵列的右侧；该供电结构相对于传统的CMOS图像传感器驱动模块供电结构设计，能大幅度提高传感器驱动模块的供电能力；消除了传统结构引入的信号衰减现象，提高了8T高分辨率CMOS图像传感器的成像质量和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 cmos 图像传感器 信号 衰减 供电 结构 | ||
【主权项】：
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