[发明专利]具有NiO在审
申请号: | 201910745884.6 | 申请日: | 2019-08-13 |
公开(公告)号: | CN110571267A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 王洪;高升;周泉斌;廖碧艳 | 申请(专利权)人: | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 江裕强 |
地址: | 528400 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有NiO | ||
搜索关键词: | 介质层 上表面 源漏电极 栅介质层 钝化层 连接源 漏电极 沉积 电子束蒸发设备 击穿电压性能 电流崩塌 叠层结构 漏电 保护层 表面态 连接栅 栅电极 电极 减小 薄膜 制备 损伤 生长 优化 | ||
【主权项】:
1.具有NiO
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