[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 201910746121.3 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110416406A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉晔;俞文杰;刘强 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，包括固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；所述自由层具有相对的第一面和第二面，所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层，所述第一面与所述第二面不平行。本发明能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器件 通道隔离 第二面 自由层 固定层 自由层磁化方向 磁存储器 临界电流 不平行 减小 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，包括固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；其特征在于，所述自由层具有相对的第一面和第二面，所述第二面较所述第一面远离所述通道隔离层，所述第一面与所述第二面不平行。
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