[发明专利]一种用于制造半导体器件隔离结构的方法及其半导体器件有效
| 申请号： | 201910746200.4 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN110661170B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 洪鹏达;高逸;洪鹏辉;刘前勇;洪宝璇;薛欣 | 申请（专利权）人： | 深圳市矽赫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;G03F7/00 |
| 代理公司： | 深圳德高智行知识产权代理事务所(普通合伙) 44696 | 代理人： | 李戍 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市粤海街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种用于制造半导体器件隔离结构的方法及其半导体器件；一种半导体器件，包括下列方法制成：提供一基底，在基底上形成器件，并在基底上形成一导电隔离结构；导电隔离结构形成的方法包括在器件以及基底上形成光刻胶层，在光刻胶层中形成栅格结构，保留栅格结构，在器件、基底和栅格结构表面形成导电层，掀离栅格结构；本发明提供一种掀离工艺，通过对起掀离功能的光刻胶进行栅格化处理，使样品片进行有角度蒸镀后仍能够保证光刻胶与溶剂从分接触，完成掀离操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体器件 隔离 结构 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件隔离结构的方法，其特征在于，包括在所述器件以及基底上形成光刻胶层；在所述光刻胶层中形成第一结构；保留所述第一结构；在所述器件、基底和所述第一结构表面形成导电层；掀离所述第一结构。/n
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