[发明专利]像素结构在审

专利信息
申请号: 201910748483.6 申请日: 2019-08-14
公开(公告)号: CN110444548A 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 郑贸薰 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 张燕华;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构,包括通道层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、介电层以及连接电极。通道层设置在基板之上,并具有第一区、第二区与第三区,其中第二区位在第一区与第三区之间,且第二区的导电性大于第一区及第三区的导电性。栅极绝缘层覆盖在通道层上。第一栅极及第二栅极设置在栅极绝缘层之上,并分别位在第一区及该第三区之上。介电层设置在栅极绝缘层之上。连接电极设置在介电层之上,并电性连接第一栅极及第二栅极,且连接电极于通道层的垂直投影与第一区、第二区及第三区至少部分重叠。
搜索关键词: 第一区 栅极绝缘层 通道层 连接电极 介电层 导电性 像素结构 垂直投影 电性连接 基板 区位 覆盖
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:一通道层,设置在一基板之上,并具有一第一区、一第二区与一第三区,其中该第二区位在该第一区与该第三区之间,且该第二区的导电性大于该第一区及该第三区的导电性;一栅极绝缘层,覆盖在该通道层上;一第一栅极及一第二栅极,设置在该栅极绝缘层之上,并分别位在该第一区及该第三区之上;一介电层,设置在该栅极绝缘层之上;以及一连接电极,设置在该介电层之上,并电性连接该第一栅极及一第二栅极,且该连接电极于该通道层的垂直投影与该第一区、该第二区及该第三区至少部分重叠。
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