[发明专利]像素结构在审
申请号: | 201910748483.6 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110444548A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 郑贸薰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 张燕华;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种像素结构,包括通道层、栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极、介电层以及连接电极。通道层设置在基板之上,并具有第一区、第二区与第三区,其中第二区位在第一区与第三区之间,且第二区的导电性大于第一区及第三区的导电性。栅极绝缘层覆盖在通道层上。第一栅极及第二栅极设置在栅极绝缘层之上,并分别位在第一区及该第三区之上。介电层设置在栅极绝缘层之上。连接电极设置在介电层之上,并电性连接第一栅极及第二栅极,且连接电极于通道层的垂直投影与第一区、第二区及第三区至少部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 第一区 栅极绝缘层 通道层 连接电极 介电层 导电性 像素结构 垂直投影 电性连接 基板 区位 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:一通道层,设置在一基板之上,并具有一第一区、一第二区与一第三区,其中该第二区位在该第一区与该第三区之间,且该第二区的导电性大于该第一区及该第三区的导电性;一栅极绝缘层,覆盖在该通道层上;一第一栅极及一第二栅极,设置在该栅极绝缘层之上,并分别位在该第一区及该第三区之上;一介电层,设置在该栅极绝缘层之上;以及一连接电极,设置在该介电层之上,并电性连接该第一栅极及一第二栅极,且该连接电极于该通道层的垂直投影与该第一区、该第二区及该第三区至少部分重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910748483.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的