[发明专利]鳍式场效晶体管装置的结构在审
| 申请号： | 201910748730.2 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828576A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 方婷;林大文;杨复凯;李振铭;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开一些实施例提供了一种鳍式场效晶体管装置的结构及其形成方法。鳍式场效晶体管装置的结构包括形成于基底上方的隔离结构以及形成于隔离结构上方的栅极结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括形成于隔离结构的上方且邻近栅极结构的第一介电层，以及形成于第一介电层中的源极/漏极接触结构。鳍式场效晶体管装置的结构还包括穿过第一介电层且邻近源极/漏极接触结构的深接触结构。深接触结构穿过隔离结构，且源极/漏极接触结构的底表面高于深接触结构的底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式场效 晶体管 装置 结构 | ||
【主权项】：
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