[发明专利]腔盖、半导体刻蚀装置及其温控方法在审
| 申请号： | 201910749060.6 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112397364A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/16 | 分类号： | H01J37/16;H01J37/30;H01J37/305;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种腔盖、半导体刻蚀装置及其温控方法。所述腔盖用于封闭反应腔室，所述腔盖包括：温控板，所述温控板内包含温度传感器，所述温度传感器用于测量温控板温度；输入管道，连接所述温控板且在所述温控板中导通，用于传输换热介质，以与所述温控板进行热交换；介质控制器，连接所述输入管道，用于基于所述温控板温度调整所述输入管道内部传输的所述换热介质的状态。本发明避免了温控板和反应腔室内出现温差过大的现象，改善了晶圆刻蚀质量，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 装置 及其 温控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910749060.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种烟气脱硫废水零排放的方法及系统
- 下一篇：通信系统及通信方法
