[发明专利]一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法

摘要

本发明涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池及其制作方法，属于太阳电池制造技术领域，更为具体的涉及一种带防护集成旁路二极管的太阳电池，以及一种太阳电池阵包括如上所述太阳电池。对电池本体形成减反射层，增大太阳电池的光吸收效率；对二极管边缘形成边缘保护层，避免二极管边缘静电放电和P/N结边缘漏电，提高二极管可靠性；对二极管隔离槽形成保护层，防止互连片联接时互连片接触隔离槽造成二极管短路，提高太阳电池阵的可靠性。

主权项

1.一种带防护集成旁路二极管的太阳电池，其特征在于：该太阳电池包括Ge衬底、底电池、中电池、顶电池、帽子层、上电极、下电极和氧化物减反射膜；/nGe衬底的下表面为下电极；/nGe衬底的上表面从左到右分为四个区，分别为第一区、第二区、第三区和第四区；/nGe衬底上表面的第一区从下到上依次外延有底电池、中电池、顶电池、帽子层，帽子层上表面为上电极；/n第一区底电池的右侧面、中电池的右侧面、顶电池的右侧面、帽子层的右侧面和上电极的右侧面上均蒸镀有氧化物减反射膜；/n第一区上电极上表面的非焊接区蒸镀有氧化物减反射膜；/nGe衬底上表面的第三区从下到上依次外延有底电池、中电池、顶电池、帽子层，帽子层上表面的中间部分有上电极；/n第三区底电池的左侧面和右侧面、中电池的左侧面和右侧面、顶电池的左侧面和右侧面、帽子层的左侧面和右侧面、上电极的左侧面和右侧面上均蒸镀有氧化物减反射膜；/nGe衬底上表面的第二区蒸镀有氧化物减反射膜；/nGe衬底上表面的第四区蒸镀有氧化物减反射膜。/n