[发明专利]一种利用In-Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，通过In/Ga混合金属蒸发源替代常规的单质In和单质Ga金属源，使得In和Ga金属在蒸发前就以特定的比例进行混合，并利用实验方式，获得混合金属液体在高温蒸发时的In/Ga喷射比例预测经验公式，确保In、Ga金属按照我们设计的成分比例在基底表面形成CIGS薄膜，从而实现In/Ga混合源长时间大面积镀膜的稳定性，同时实现CIGS薄膜内In和Ga金属分布的均匀性。

主权项

1.一种利用In‑Ga合金蒸发源制备大面积均匀性CIGS薄膜太阳能电池的方法，其特征在于，沉积有钼背电极层的钠钙玻璃衬底进入蒸发源室后，采用以下共蒸发工艺中的一种：（1）一步共蒸发工艺在硒气氛中，共蒸镓、铜和铟，使硒、镓、铜和铟沉积于衬底上，（2）两步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；（3）三步共蒸发工艺第一步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；第二步：在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；第三步：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；上述共蒸发工艺中镓和铟的蒸发源采用铟镓合金源。