[发明专利]离子植入设备及其校准方法有效
申请号: | 201910750030.7 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN110828270B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 林义雄;叶耀仁;区家麟;刘炫邦;李政恩 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/304;H01J37/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 谢强;黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开涉及一种方法,包括基于离子植入配方,以离子植入设备的离子源产生多个离子。前述方法包括基于在前述离子植入配方中的离子能设定来加速所产生的前述离子,以及判定所加速的前述离子的能谱。前述方法亦包括分析所判定的前述能谱和前述离子能设定之间的关系。前述方法还包括基于所分析的前述关系来调整前述离子植入设备的最终能量磁铁的至少一参数。 | ||
搜索关键词: | 离子 植入 设备 及其 校准 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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