[发明专利]一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法有效
| 申请号： | 201910750281.5 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110441860B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李彬;李志华;刘若男 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/138 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法，包括：在半导体衬底上沿半导体衬底的厚度方向形成下包层；光刻与刻蚀下包层，在下包层内形成芯层槽，芯层槽的宽度大于预设波导的宽度；在芯层槽内和下包层上沉积芯层材料，形成第一芯层，第一芯层的厚度小于预设波导的厚度；以下包层的上表面为终止层，采用表面平坦化工艺去除多余的第一芯层；重复上述步骤直到芯层槽内形成的芯层的厚度达到预设波导的厚度为止；光刻与刻蚀芯层，形成预设波导结构；在预设波导结构和下包层上形成上包层。该方案解决了因薄膜太厚而产生的高应力问题，并优化了波导的形状、降低了侧壁粗糙度、增加波导的陡直度，降低了波导损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜氮化硅波导的挖槽制备方法，其特征在于，包括：S1、在半导体衬底上沿所述半导体衬底的厚度方向形成下包层；S2、光刻与刻蚀所述下包层，在所述下包层内形成芯层槽，所述芯层槽的宽度大于预设波导的宽度；S3、在所述芯层槽内和所述下包层上沉积芯层材料，形成第一芯层，所述第一芯层的厚度小于所述预设波导的厚度；S4、以所述下包层的上表面为终止层，采用表面平坦化工艺去除多余的所述第一芯层；S5、重复S3、S4直到所述芯层槽内形成的芯层的厚度达到所述预设波导的厚度为止；S6、光刻与刻蚀所述芯层，形成预设波导结构；S7、在所述预设波导结构和所述下包层上形成上包层。
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