[发明专利]电极结构、半导体结构和电极结构的制造方法有效
| 申请号： | 201910752870.7 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110364524B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杜益成;王猛;喻慧 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电极结构，半导体结构以及电极结构的制造方法，所述电极结构包括半导体基底；由所述半导体基底上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区,以及填充在沟槽内部的填充材料，其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触。本发明的电极结构用于吸收半导体中电子/空穴，以防止半导体中的寄生结构导通。另外，所述电极结构的面积较小，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极结构，其特征在于，包括：半导体基底；由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的沟槽；由所述半导体基底的上表面延伸至所述半导体基底内部的接触区,以及填充在沟槽内部的填充材料，其中，所述接触区与所述沟槽外侧壁相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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