[发明专利]多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201910753004.X | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110444467A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐洪涛;陈猛;高楠;苏鑫 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长一第一多晶硅薄膜层；在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。本发明采用高低温交替生长多晶硅薄膜层的方法在衬底上生成多晶硅薄膜，其能够释放多晶硅薄膜自身及其与半导体衬底之间的应力，改善多晶硅薄膜半导体衬底的翘曲度及弯曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜 衬底 多晶硅薄膜层 半导体 制备 交替生长 释放 生长 高低温 翘曲度 弯曲度 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长至少一第一多晶硅薄膜层；在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长至少一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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