[发明专利]一种Te掺杂2H@1T MoS2

摘要

本发明提供了一种Te掺杂2H@1T MoS2纳米异相结材料及其制备方法和应用，所述异相结材料为Te锚定在S位置形成Te掺杂2H@1T MoS2超薄二维纳米片结构。本发明通过碲热技术实现了Te掺杂2H@1T MoS2的合成，Te元素可有效提升2H MoS2的电导率，并且激活2H MoS2的部分基面转换成1T相，同时2H MoS2也可以限制Te自身团聚，为Te原子提供锚定位点。通过两种材料的协同效应，提高了异相结材料作为氧化还原型超级电容器正极材料的储能性能，解决了循环过程中性能下降的问题。在Te掺杂之后比电容为1054F g‑1，在充放电过程中更多1T相的出现使其10000循环后的比电容达到2248F g‑1，为新型储能材料研发提供了新的研究思路。