[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910754486.0 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN112397389B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部；在所述基底上形成横跨第一鳍部的第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖部分第一鳍部侧壁的顶部表面；在所述基底上形成横跨第二鳍部的第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖部分第二鳍部侧壁的顶部表面；形成第一栅极结构和第二栅极结构后，在第一栅极结构两侧的第一鳍部顶部和侧壁形成第一牺牲层；在第一牺牲层侧壁形成第一保护层；去除第一栅极结构两侧的第一牺牲层和第一鳍部，形成第一凹槽，第一凹槽暴露出第一保护层侧壁；在所述第一凹槽内形成第一掺杂层；在第二栅极结构两侧的第二鳍部内形成第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
