[发明专利]存储器件、半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910755706.1 申请日: 2019-08-15
公开(公告)号: CN112397508B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 韩清华 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 王辉;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开是关于一种存储器件、半导体结构及半导体结构的制造方法,涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、栅极、栅绝缘层、漏极、源极、介质层、位线和电容连接线。半导体衬底具有工作面和由工作面向内延伸的阱区,阱区具有源极部、漏极部以及分隔源极部和漏极部的沟槽。栅极设于沟槽内。栅绝缘层分隔于栅极和沟槽的内壁之间。漏极设于漏极部内,且由工作面向内延伸,漏极和阱区构成PN结。源极设于源极部内,且由工作面向内延伸,源极与阱区构成肖特基结。介质层覆盖工作面,且具有露出漏极部的第一接触孔和露出源极部的第二接触孔。位线填充于第一接触孔内。电容连接线填充于第二接触孔内。
搜索关键词: 存储 器件 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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