[发明专利]一种氮化镓电子器件的复合介质结构及制备方法在审
| 申请号： | 201910755947.6 | 申请日： | 2019-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491939A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;王成森;殷海波;黄森;王鑫华;魏珂;黄健;张超;吴耀辉 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 方丁一<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 226017 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮化镓电子器件的复合介质结构，包括：低界面态介质插入层和高击穿电场介质层，低界面态介质插入层，生长在氮化镓电子器件表面上，高击穿电场介质层，生长在低界面态介质插入层上。本公开还提供了一种复合介质结构的制备方法，包括：将氮化镓电子器件放置于机台中，将机台的温度调节至第一预设温度，功率调节至第一预设功率，使用等离子体清洁氮化镓电子器件的表面，将机台的温度调节至第二预设温度，功率调节至第二预设功率，在氮化镓电子器件的表面生长低界面态介质插入层，将机台的温度调节至第三预设温度，功率调节至第三预设功率，在低界面态介质插入层上生长高击穿电场介质层。本公开可有效解决氮化镓电子器件表面界面缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 介质插入 界面态 机台 电子器件 电场介质 功率调节 温度调节 预设功率 击穿 预设 电子器件表面 复合介质结构 生长 等离子体清洁 表面生长 界面缺陷 有效解决 制备 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，包括：/n低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)；/n低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件(3)表面上；/n高击穿电场介质层(2)，生长在所述低界面态介质插入层(1)上。/n
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