[发明专利]基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路

摘要

基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路，包括预稳压模块、预稳压启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，带隙基准核心模块用于产生基准电压，共源极接法的第十五PMOS管构成βhelp结构，避免了CMOS工艺中β值过小导致基极电流引入过大误差的问题；同时通过第九电阻R9将基准电压的高阶曲率补偿结构嵌入βhelp结构中，显著的减低了基准输出电压的温度漂移系数；带隙基准核心启动模块用于使带隙基准核心模块脱离简并点；预稳压模块用于产生为带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电的局部电压，通过自适应驱动结构既保证了预稳压结构的驱动能力又有效的提高了基准输出电压的电源抑制比；预稳压启动模块用于使预稳压模块脱离简并点。

主权项

1.基于指数补偿的低温漂高电源抑制比带隙基准电路，包括预稳压模块、预稳压启动模块、带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块，所述预稳压模块用于产生为所述带隙基准核心模块和带隙基准核心启动模块供电的局部电压；所述预稳压启动模块用于在上电时启动所述预稳压模块，并在所述预稳压模块正常工作后退出；所述带隙基准核心启动模块用于在上电时启动所述带隙基准核心模块，并在所述带隙基准核心模块正常工作后退出；其特征在于，所述带隙基准核心模块包括运算放大器、第三电容、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第二三极管、第三三极管和第十五PMOS管，其中第八电阻和第十一电阻的阻值相等；第二三极管的基极连接第三三极管的基极和第九电阻的一端，其集电极连接所述运算放大器的反相输入端并通过第八电阻后连接所述局部电压，其发射极一方面通过第十二电阻后连接第三三极管的发射极，另一方面通过第十电阻后接地；第三三极管的集电极连接所述运算放大器的同相输入端并通过第十一电阻后连接所述局部电压；第十五PMOS管的栅极连接所述运算放大器的输出端，其源极连接所述局部电压，其漏极连接第九电阻的另一端并作为所述带隙基准电路的输出端；第三电容的一端连接所述运算放大器的输出端，另一端通过第七电阻后连接所述带隙基准电路的输出端。