[发明专利]光掩模、三维存储器件的制备方法及三维存储器件在审
| 申请号： | 201910757687.6 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110600477A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 徐文祥;杨号号;黄攀;严萍;霍宗亮;周文斌;徐伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;G03F1/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种光掩模、三维存储器件的制备方法及三维存储器件，所述光掩模上设有多个依次连接的图案，所述图案包括第一图案和第二图案，所述第一图案具有相对设置的第一边和第二边，两个所述第二图案间隔地设于所述第一边的中部，另外两个所述第二图案与两个所述第二图案对应地设于所述第二边。本申请的技术方案解决了现有技术的三维存储器件形成于栅极隔槽中的导电体容易与堆叠结构中的导体层接触而造成漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 三维存储器件 光掩模 漏电 堆叠结构 方案解决 图案间隔 相对设置 依次连接 导电体 导体层 隔槽 制备 申请 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，其特征在于，所述光掩模上设有多个依次连接的图案，所述图案包括第一图案和第二图案，所述第一图案具有相对设置的第一边和第二边，两个所述第二图案间隔地设于所述第一边的中部，另外两个所述第二图案与两个所述第二图案对应地设于所述第二边。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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