[发明专利]芯片晶圆及其制备方法、Micro-LED显示器有效
| 申请号： | 201910757851.3 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110459557B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;强力;宋吉鹏;周天民;黄睿;尹东升;李颖 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种芯片晶圆及其制备方法、Micro‑LED显示器，涉及显示技术领域，可以在LED芯片转移之前检测LED芯片是否能发光。该芯片晶圆包括：衬底以及设置在所述衬底上的多个LED芯片；所述LED芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案；所述LED芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极；所述芯片晶圆还包括设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线；所述第一信号线用于给多个所述LED芯片的所述第一电极提供电信号，所述第二电极均与所述第二信号线电连接，所述第二信号线用于给所述第二电极提供电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 及其 制备 方法 micro led 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种芯片晶圆，其特征在于，包括：衬底以及设置在所述衬底上的多个LED芯片；/n所述LED芯片包括依次层叠设置在所述衬底上的第二半导体图案、发光图案和第一半导体图案；所述LED芯片还包括与所述第一半导体图案接触的第一电极和与所述第二半导体图案接触的第二电极；/n所述芯片晶圆还包括设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线；所述第一信号线用于给多个所述LED芯片的所述第一电极提供电信号，所述第二电极均与所述第二信号线电连接，所述第二信号线用于给所述第二电极提供电信号。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
