[发明专利]一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置在审
| 申请号： | 201910758941.4 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110389108A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;文英熙 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563;G01N23/00;G01N1/44 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;蔡丽 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅片加工领域，尤其涉及一种单晶硅缺陷区域的检测方法及装置。单晶硅缺陷区域的检测方法为：获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；对所述样品硅片进行热处理，使间隙氧在空位型缺陷区域形核沉淀；获取所述样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值；计算得到每个所述测试位点第二间隙氧浓度值与第一间隙氧浓度值的差值；获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图；比较所述缺陷区域形貌图与所述测试位点的间隙氧浓度差值，确定所述样品硅片的空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布。该方法能够检测单晶硅的缺陷区域的分布，简单快速，可用于反馈于硅锭生长工艺中以生产无缺陷单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷区域 间隙氧 单晶硅 测试位点 硅片 空位型缺陷 热处理 检测 形貌图 无缺陷单晶硅 硅片表面 硅片加工 硅锭 可用 形核 沉淀 反馈 生长 生产 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅缺陷区域的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：获取样品硅片沿直径方向上的多个测试位点的第一间隙氧浓度值；对所述样品硅片进行热处理，使间隙氧在空位型缺陷区域形核沉淀；获取热处理后的样品硅片沿直径方向上的所述多个测试位点的第二间隙氧浓度值；计算得到每个所述测试位点第二间隙氧浓度值与第一间隙氧浓度值的差值；获取热处理后的样品硅片表面的缺陷区域形貌图；比较所述缺陷区域形貌图与所述测试位点的间隙氧浓度的差值，确定所述样品硅片的空位型缺陷区域与间隙型缺陷区域的分布。
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