[发明专利]晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201910759563.1 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN111640793A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 周仲彦;陈志远 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管及其形成方法、半导体器件。晶体管中的栅极介质层具有上层部和下层部，并且上层部为叠层设置，从而可以在不改变下层部的厚度的基础上，增加上层部的厚度。如此，即能够在维持晶体管的性能的基础上，改善栅极感应漏电流(GIDL)现象；并且，本发明中是通过叠层设置以增加上层部的厚度，进而有利于实现对上层部的参数的灵活调整。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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