[发明专利]掩模板及曝光方法在审
申请号: | 201910759877.1 | 申请日: | 2019-08-16 |
公开(公告)号: | CN112394609A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 王厚有;冯永波;朱红波;王冠博 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G02F1/13;G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 230012 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种掩模板及曝光方法。所述掩模板包括液晶盒结构、位于其第一表面一侧的第一电极层和第一偏光膜以及位于其第二表面一侧的第二电极层和第二偏光膜,第一电极层包括覆盖液晶层表面不同位置的多个第一透明电极,第二电极层包括与各个第一透明电极位置对应且极性相反的第二透明电极,当通过在第一透明电极和第二透明电极形成电场时,电场中的液晶分子发生偏转会使得从第二偏光膜输出的光通量发生变化,进而在液晶层的范围内形成包括遮光区和透光区的掩模图案,该掩模板上形成的掩模图案是可写可擦除的,从而可以实现多种掩模图案的写入,有利于减少掩模板的数量,便于管理,减少成本。所述曝光方法利用了上述掩模板。 | ||
搜索关键词: | 模板 曝光 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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