[发明专利]一种抗饱和隔磁片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910760046.6 申请日: 2019-08-16
公开(公告)号: CN110581014A 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 钱江华;徐可心;林涛;吴长和;马飞;郭庆文 申请(专利权)人: 蓝沛光线(上海)电子科技有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F27/36;H01F38/14;H02J50/70;H02J50/10
代理公司: 31272 上海申新律师事务所 代理人: 俞涤炯
地址: 201500 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种抗饱和隔磁片及其制备方法,该抗饱和隔磁片应用于无线充电领域,制备方法具体包括:步骤S1,选用纳米晶软磁材料,对纳米晶软磁材料进行分切处理和卷绕处理,得到第一磁芯;步骤S2,对第一磁芯进行热处理,得到第二磁芯;步骤S3,将第二磁芯与双面胶进行贴合处理,得到第一基材;步骤S4,采用特制辊轴对第一基材进行辊压破碎处理,得到第二基材;步骤S5,对第二基材进行自贴合处理,得到由第二基材自贴合成一定层数的半成品;步骤S6,对半成品进行模切处理,得到抗饱和隔磁片。本发明所制备的隔磁片具有较高的饱和电流,且产品厚度薄,制备简单,适用工厂批量生产。
搜索关键词: 基材 隔磁片 磁芯 制备 抗饱和 纳米晶软磁材料 贴合处理 热处理 饱和电流 破碎处理 无线充电 双面胶 分切 辊压 辊轴 卷绕 模切 半成品 合成 应用 生产
【主权项】:
1.一种抗饱和隔磁片的制备方法,其特征在于,所述抗饱和隔磁片应用于无线充电领域;/n所述制备方法包括下述步骤:/n步骤S1,对纳米晶软磁材料进行分切处理和卷绕处理,得到第一磁芯;/n步骤S2,对所述第一磁芯进行热处理,得到第二磁芯;/n步骤S3,将所述第二磁芯与双面胶进行贴合处理,得到第一基材;/n步骤S4,采用特制辊轴对所述第一基材进行辊压破碎处理,得到第二基材;/n步骤S5,对所述第二基材进行自贴合处理,得到由所述第二基材自贴合成一定层数的半成品;/n步骤S6,对所述半成品进行模切处理,得到所述抗饱和隔磁片。/n
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