[发明专利]紫外LED外延片及其制备方法有效
申请号: | 201910761882.6 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110459656B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 付羿;刘卫;刘乐功;彭翔 | 申请(专利权)人: | 晶能光电(江西)有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/20;H01L33/14;H01L33/00 |
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地址: | 330096 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明提供了一种紫外LED外延片及其制备方法,其中,紫外LED外延片中包括:生长衬底、低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层,低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层依次生长于生长衬底表面,其中,图形中间层由GaN条状图形组成,厚度在1000~1500nm之间,宽度在1~10μm,相邻条状图形之间的间隔在1~10μm之间。可有效减小紫外LED外延结构中n型AlGaN电流扩展层受到的张应力,避免外延层中的裂纹;及降低n型AlGaN电流扩展层中的晶体缺陷密度,提高紫外LED光效和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 紫外 led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种紫外LED外延片,其特征在于,包括:生长衬底、低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层,所述低缺陷密度GaN层、图形中间层、n型AlGaN电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层依次生长于所述生长衬底表面,其中,图形中间层由GaN条状图形组成,厚度在1000~1500nm之间,宽度在1~10μm,相邻条状图形之间的间隔在1~10μm之间。/n
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