[发明专利]一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201910763884.9 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110483060B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 杨大胜;施纯锡 | 申请(专利权)人: | 福建华清电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 赖开慧 |
地址: | 362200 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及陶瓷材料制备技术领域,提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法,解决现有技术氮化硅陶瓷热导率不高的问题。所述氮化硅陶瓷包括:氮化硅60~90份、碳化硅8~12份、稀土氯化物3~5份、氟化镱0.2~1份、氮化锆0.5~2份、分散剂5~10份。本发明添加稀土氯化物在不额外引入氧的情况下,提高了氮化硅粉体的烧结活性,实现氮化硅陶瓷的致密化;氟化镱可以促进Si和N的扩散,且与氮化硅晶格内的氧杂质反应,从而有效地降低氮化硅晶格溶解氧含量,提高氮化硅热导率;氮化锆中的锆离子对氧具有很强的亲和力,可以吸收部分晶格内的氧杂质。稀土氯化物、氟化镱及氮化锆相互配合,还可以增加氮化硅晶粒的尺寸,排出氧杂质。 | ||
搜索关键词: | 一种 高热 氮化 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高热导率氮化硅陶瓷,其特征在于:按重量份数计,所述氮化硅陶瓷由以下原料组份制成:氮化硅60~90份、碳化硅8~12份、稀土氯化物3~5份、氟化镱0.2~1份、氮化锆0.5~2份、分散剂5~10份。/n
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