[发明专利]衬底处理设备和方法在审
| 申请号： | 201910764138.1 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110858554A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | D·K·戴罗伊斯特 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 乐洪咏;朱黎明 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种衬底处理设备和方法，所述衬底处理设备包括湿法处理站，所述湿法处理站具有用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在所述衬底上显影所述抗蚀剂的显影处理装置。所述设备可具有额外处理站和衬底处置器，所述衬底处置器用于将所述衬底移动到所述湿法处理站和/或所述额外处理站且在进入和/或离开所述衬底处理设备的方向上移动所述衬底。所述额外处理站包括渗透装置。所述方法包括用所述衬底处理设备处理衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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