[发明专利]PWM信号产生及其误差校正电路在审
申请号: | 201910764313.7 | 申请日: | 2019-08-19 |
公开(公告)号: | CN110445483A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 赵东世 | 申请(专利权)人: | 矽恩微电子(厦门)有限公司 |
主分类号: | H03K7/08 | 分类号: | H03K7/08;H05B33/08 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种PWM信号产生及误差校正电路,包括放大器OP1,放大器OP2,比较器CMP1,比较器CMP2,PMOS场效应管M1‑M16,电阻R14,电阻R_FRE,可变电阻R15‑R16,电阻R17,电容C1,匹配电阻模块电路,电流漏IDC,以及14比特计数器。与现有技术相比,本发明的PWM信号产生及误差校正电路,采用变动的电阻,变动的电流产生三角波电压的方法,对电流源的电流变化较小,对于较低频率的PWM信号,不需要大电容,可节省版图面积,节省芯片成本。可以实现较大PWM信号频率范围。而且,本发明中,综合考虑两个电压点上PWM信号占空比,对占空比函数进行校正,可以较为精确的校正PWM信号在0%‑100%范围内所有占空比误差。 | ||
搜索关键词: | 电阻 误差校正电路 放大器 比较器 校正 比特计数器 三角波电压 占空比函数 占空比误差 场效应管 电流变化 电流产生 可变电阻 模块电路 匹配电阻 芯片成本 综合考虑 大电容 低频率 电流漏 电流源 电压点 电容 | ||
【主权项】:
1.PWM信号产生及误差校正电路,其特征在于:包括放大器OP1,放大器OP2,比较器CMP1,比较器CMP2,PMOS场效应管M1‑M16,电阻R14,电阻R_FRE,可变电阻R15‑R16,电阻R17,电容C1,匹配电阻模块电路,电流漏IDC,以及14比特计数器;放大器OP1的正输入端连接基准电压VREF1,放大器OP1的输出端连接PMOS场效应管M15的栅极,PMOS场效应管M1、M2、M15和电阻R14串接于电源VCC与地之间,放大器OP1的负输入端连接至M15与电阻R14之间;PMOS场效应管M3、M4和可变电阻R15串接于电源VCC与地之间;PMOS场效应管M5、M6和可变电阻R16串接于电源VCC与地之间;PMOS场效应管M7和PMOS场效应管M8组成PMOS折叠共源共栅电流源;PMOS场效应管M7、M8、M16串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间;PMOS场效应管M1、M3、M5和M7的栅极分别连接至PMOS场效应管M15的漏极;PMOS场效应管M2、M4、M6和M8的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF2;放大器OP2的正输入端连接V3,V3为用于设置三角波频率的设置电压,放大器OP2的输出端连接PMOS场效应管M14的栅极,PMOS场效应管M9、M10、M14和电阻R_FRE串接于电源VCC与地之间,放大器OP2的负输入端连接至M14与电阻R_FRE之间,且放大器OP2的负输入端还连接至电流漏IDC,电流漏IDC用于设置电阻R_FRE开路情况下PWM的频率;PMOS场效应管M11和PMOS场效应管M12是以PMOS场效应管M9为中心一一对称匹配的PMOS折叠共源共栅电流源;PMOS场效应管M11、M12、M13串接于电源VCC与匹配电阻模块电路的相应输入节点之间;PMOS场效应管M9和M11的栅极分别连接至PMOS场效应管M14的漏极;PMOS场效应管M10和M12的栅极分别连接至折叠共源共栅电流源的偏置电压VREF3;14比特计数器的14个输出端分别对应连接PMOS场效应管M13的14个管子的栅极,PMOS场效应管M13的14个输出端分别连接至匹配电阻模块电路的14个输入节点,PMOS场效应管M13的输出端还连接一RC滤波器路的输入端,此RC滤波器的输出连接到比较器CMP1的负输入端和比较器CMP2的正输入端,比较器CMP1的正输入端连接V1,V1电压用于设置三角波的最高电压,比较器CMP1的输出端连接14比特计数器的复位端,比较器CMP2的负输入端连接占空比设置引脚,比较器CMP2的输出端输出PWM信号。
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