[发明专利]一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910764472.7 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110436515A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘光波;姜鲁华;许颖双 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 郝团代 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，具体包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备SnS2纳米片前躯体；(2)将SnS2纳米片前躯体置于气氛炉内，在氧化性气氛下煅烧获得普通白色介孔SnO2纳米片；(3)将白色介孔SnO2纳米片置于气氛炉中，在氩气和氢气混合气氛中退火以获得富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片。本发明优势在于其制备工艺简单、成本低、无污染，最终获得的样品是具有介孔结构的纳米片，其比表面积大、电学性能优异，并对可见光有明显吸收作用。本发明所得样品可广泛用于气敏、催化、太阳能电池、锂离子电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片 介孔 氧空位 富含 气氛炉 前躯体 制备 化学气相沉积 退火 太阳能电池 氧化性气氛 锂离子电池 可见光 氩气 电学性能 工艺制备 混合气氛 介孔结构 制备工艺 氢气 煅烧 催化 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片及其制备方法，其特征在于该方法具体包括如下步骤：步骤一：采用化学气相沉积工艺在衬底上生长SnS2纳米片前躯体；步骤二：将SnS2纳米片前躯体在氧化气氛炉内煅烧获得普通白色介孔SnO2纳米片；步骤三：将普通白色介孔SnO2纳米片置于还原性气氛炉中，在氩气和氢气混合气氛中退火以获得富含氧空位的黑色介孔SnO2纳米片。
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