[发明专利]发光二极管

摘要

本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一第一型半导体层；一发光层，用以发出一光束，所述光束在一发光波长范围具有一峰值波长；一第二型半导体层，其中所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间；一第一电极，电性连接所述第一型半导体层；一第二电极，电性连接所述第二型半导体层；以及一布拉格反射结构，所述第一电极与所述第二电极皆位于所述布拉格反射结构的相同一侧，且所述布拉格反射结构在至少涵盖0.9X nm至1.6X nm的一反射波长范围的反射率为95％以上，其中X为所述发光波长范围的所述峰值波长，其中所述布拉格反射结构包括多个主堆叠层以及至少一过渡堆叠层，所述至少一过渡堆叠层位于所述主堆叠层的相邻两者之间，其中所述布拉格反射结构还包括至少一修补堆叠层，所述至少一修补堆叠层邻接所述主堆叠层以及所述至少一过渡堆叠层的其中之一者,其中，所述主堆叠层区、所述过渡堆叠层区及所述修补堆叠层区的每一个结构各自包括交替堆叠的多个第一折射层以及多个第二折射层，所述第一折射层的折射率异于所述第二折射层的折射率；其中，在所述主堆叠层区、所述过渡堆叠层区及所述修补堆叠层区的每一个结构中的所述第一折射层和所述第二折射层的排列方式，具有相同周期结构、不同周期性结构、渐变增加结构或渐变减少结构；其中，所述主堆叠层区的周期结构、部分周期结构、渐变增加结构或渐变减少结构的组层数大于所述过渡堆叠层区或所述修补堆叠层区的周期结构、部分周期结构、渐变增加结构或渐变减少结构的组层数；其中，各所述第一折射层的材料为二氧化钛，各所述第二折射层的材料为二氧化硅。