[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910765121.8 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112086400A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;陈洁;陈明发;杨庆荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开半导体封装及形成所述半导体封装的方法。所述方法中的一者包括以下步骤。提供第一管芯，其中所述第一管芯包括第一衬底、第一内连结构以及第一焊盘，所述第一内连结构位于所述第一衬底之上，所述第一焊盘设置在所述第一内连结构之上且电连接到所述第一内连结构。在所述第一管芯之上形成第一结合介电层以覆盖所述第一管芯。使用单镶嵌工艺形成穿透所述第一结合介电层的第一结合通孔以电连接所述第一内连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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