[发明专利]具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET和制作方法在审
| 申请号： | 201910765355.2 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110459612A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 钱振华;张艳旺 | 申请（专利权）人： | 无锡橙芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214063江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及属于半导体器件的制造技术领域，具体是一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET和制作方法。具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底和生长在N型衬底上的外延层，所述外延层包括下外延层和生长在所述下外延层上的上外延层，所述下外延层中设有P型浮岛区；所述上外延层中开设有沟槽，所述沟槽从第一主面向第二主面方向延伸；所述沟槽的上部为栅极区，沟槽的下部为屏蔽栅区，所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层；所述栅极区中设有栅极层和栅极氧化层；所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层和屏蔽栅氧化层；能够在获得高耐压时，由于采用低阻的下外延，所以又可以极大的降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 屏蔽栅 栅极区 半导体基板 浮岛结构 高压屏蔽 衬底 屏蔽栅氧化层 半导体器件 栅极氧化层 导通电阻 方向延伸 屏蔽栅层 高耐压 氧化层 栅极层 生长 低阻 浮岛 主面 隔离 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET，其特征在于，所述具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET包括：/n半导体基板，所述半导体基板包括N型衬底（1）和生长在N型衬底（1）上的外延层，所述外延层包括下外延层（2）和生长在所述下外延层（2）上的上外延层（3），所述上外延层（3）的上表面为所述半导体基板的第一主面，N型衬底（1）的下表面为所述半导体基板的第二主面，所述下外延层（2）中设有P型浮岛区（4）；/n所述上外延层（3）中开设有沟槽（5），所述沟槽（5）从第一主面向第二主面方向延伸；/n所述沟槽（5）的上部为栅极区，沟槽（5）的下部为屏蔽栅区，所述栅极区和屏蔽栅区之间隔离有氧化层；所述栅极区中设有栅极层（511）和栅极氧化层（512）；所述屏蔽栅区中设有屏蔽栅层（521）和屏蔽栅氧化层（522）；/n所述沟槽（5）两侧的上外延层（3）中设有P型体区（6），所述P型体区（6）上设有N型源极区（7），所述半导体基板的第一主面上设有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）中开设有接触孔（9），所述接触孔（9）的下端依次穿过N型源极区（7）和P型体区（6），所述接触孔（9）中填充有金属，所述绝缘介质层（8）上设有金属层（10），所述接触孔（9）中填充的金属将金属层（10）、N型源极区（7）和P型体区（6）连通。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡橙芯微电子科技有限公司，未经无锡橙芯微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910765355.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铁电场效应晶体管及其制备方法
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
