[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板在审

申请号：	201910766043.3	申请日：	2019-08-19
公开（公告）号：	CN110534475A	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	马伟欣;陈彩琴	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)	代理人：	黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	430079 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板，该阵列基板的制作方法包括：提供基底，基底包括显示区域以及位于显示区域周边的非显示区域；在基底上形成无机膜组层；在无机膜组层上制作开口，并形成图案化的源漏极层，开口位于非显示区域，源漏极层不覆盖且不填充开口；在无机膜组层上形成有机平坦层，有机平坦层覆盖源漏极层，且填充并覆盖开口。通过这种方式，在位于非显示区域的无机膜组层上制作开口，并在后续平坦层制作工艺中填充开口，减少了采用有机材料填充开口的工艺，进而节省了该工艺的掩膜版，有利于降低成本。
搜索关键词：	无机膜组层非显示区域填充开口源漏极开口基底有机平坦层显示区域阵列基板制作覆盖显示面板有机材料制作工艺平坦层图案化掩膜版填充申请
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【主权项】：

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括显示区域以及位于所述显示区域周边的非显示区域；/n在所述基底上形成无机膜组层；/n在所述无机膜组层上制作开口，并形成图案化的源漏极层，所述开口位于所述非显示区域，所述源漏极层不覆盖且不填充所述开口；/n在所述无机膜组层上形成有机平坦层，所述有机平坦层覆盖所述源漏极层，且填充并覆盖所述开口。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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