[发明专利]形成氧化镓器件隔离的方法以及氧化镓隔离器件在审

专利信息
申请号: 201910767741.5 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN110416090A 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 龙世兵;熊文豪;吴枫 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01L21/426 分类号: H01L21/426;H01L21/76;H01L29/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宇园
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种形成氧化镓器件隔离的方法,其中包括:在氧化镓材料涂覆光刻胶,所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓;进行光刻显影工艺,部分区域暴露出氧化镓材料;实施氮离子注入工艺,注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处,以形成器件隔离。相比于以往器件隔离常用的刻蚀手段,本发明采用离子注入的手段来进行器件隔离,避免刻蚀时遇到的无法有效隔离以及光刻胶变性等问题。
搜索关键词: 氧化镓 器件隔离 光刻胶 衬底 刻蚀 隔离器件 光刻显影 区域暴露 有效隔离 氮离子 界面处 变性 涂覆 离子
【主权项】:
1.一种形成氧化镓器件隔离的方法,其中包括:在氧化镓材料涂覆光刻胶,所述氧化镓材料包括氧化镓衬底和其上的N型掺杂氧化镓;进行光刻显影工艺,部分区域暴露出氧化镓材料;实施氮离子注入工艺,注入深度为氧化镓衬底至N型掺杂氧化镓的界面处,以形成器件隔离。
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